BJT obsahuje
Emitor, bázi, kolektor.
MOSFET obsahuje
Bránu, zdroj (source), drain.
Obsahuje izolovanou vrstvu.
IGBT obsahuje
Bránu, emitor, kolektor
Obsahuje izolovanou vrstvu.
BJT
Zvládne pracovat s malým i velkým napětím v nízkých a středních frekvencích.
Pracuje s malými proudy (proud na bázi řídí napětí).
MOSFET
Zvládne pracovat s velkými proudy, velkými frekvencemi ale malým napětím (napětí na bráně řídí proud).
IGBT
3D zobrazení předností
Zobrazení maximálního napětí, proudu a frekvence
Užití
BJT - zkratky z datasheetu
Ic -continuous current rating
Vceo - Breakdown voltage
Hfp - current gain
Ts + Tf - Turn OFF time
MOSFET - zkratky z datasheetu
Ic -continuous current rating
Vdss - Breakdown voltage
Vgs - Threshold voltage
gfs - Forward transconductance
Rds - On resistance
Ts + Tf - Turn OFF time
IGBT - zkratky z datasheetu
Ic -continuous current rating
Vdes - Breakdown voltage
Vge - Threshold voltage
gfe - Forward transconductance
Vce - On voltage
Ts + Tf - Turn OFF time
Žádné komentáře:
Okomentovat