Transistory - rozdíl mezi BJT, MOSFET a IGBT

BJT obsahuje

Emitor, bázi, kolektor.

MOSFET obsahuje

Bránu, zdroj (source), drain.

Obsahuje izolovanou vrstvu.

IGBT obsahuje

Bránu, emitor, kolektor

Obsahuje izolovanou vrstvu.

BJT

Zvládne pracovat s malým i velkým napětím v nízkých a středních frekvencích.

Pracuje s malými proudy (proud na bázi řídí napětí).

MOSFET

Zvládne pracovat s velkými proudy, velkými frekvencemi ale malým napětím (napětí na bráně řídí proud).

IGBT

3D zobrazení předností

Zobrazení maximálního napětí, proudu a frekvence

Užití

BJT - zkratky z datasheetu

Ic -continuous current rating

Vceo - Breakdown voltage

Hfp - current gain

Ts + Tf - Turn OFF time

MOSFET - zkratky z datasheetu

Ic -continuous current rating

Vdss - Breakdown voltage

Vgs - Threshold voltage

gfs  - Forward transconductance

Rds - On resistance

Ts + Tf - Turn OFF time

IGBT - zkratky z datasheetu

Ic -continuous current rating

Vdes - Breakdown voltage

Vge - Threshold voltage

gfe  - Forward transconductance

Vce - On voltage

Ts + Tf - Turn OFF time