RDSon (termín u MOSFETů) - Drain-Source On-Resistance
RDSon je zkratka pro "Drain-Source On-Resistance", což je rezistence mezi drainem (odtokem) a source (zdrojem) MOSFETu, když je MOSFET v otevřeném stavu, tj. když je spínač propustný. RDSon je klíčový parametr pro MOSFETy, který ovlivňuje jejich schopnost vést proud a také množství energie, které se během provozu ztrácí v MOSFETu.
Když je MOSFET v otevřeném stavu, má RDSon vliv na velikost napěťového úbytku (Voltage Drop) přes MOSFET a tím i na množství výkonu, který je ztrácen v MOSFETu v podobě tepelné energie (při průchodu proudem). Nižší hodnoty RDSon jsou výhodné, protože znamenají menší napěťový úbytek a menší ztráty v MOSFETu.
Pro aplikace, kde je důležitý nízký ohmický odpor při spínání vyšších proudů, je důležité vybrat MOSFET s co nejnižším RDSon. Tento parametr je obzvláště důležitý v aplikacích, jako jsou spínače, regulátory a zesilovače, kde jsou vyžadovány nízké ztráty při přenosu výkonu.
Ideálně by RDSon mělo být co nejnižší, aby se minimalizovaly ztráty při přenosu výkonu a zlepšila se účinnost MOSFETu. Nicméně neexistuje jednoznačně stanovená hodnota RDSon, která by byla ideální pro všechny aplikace, protože optimální hodnota RDSon závisí na konkrétních požadavcích a parametrech dané aplikace.
Pro nízkonapěťové aplikace, jako jsou například řídicí obvody a signálové aplikace, může být ideální hodnota RDSon v řádu miliohmů nebo mikrohmů. Na druhou stranu, pro vysokopříkonové aplikace, jako jsou spínače výkonových zátěží, mohou být žádoucí MOSFETy s ještě nižším RDSon, v řádu mikrohmů nebo dokonce submikrohmů.
Při výběru MOSFETu je třeba zvážit kompromis mezi nízkým RDSon a dalšími parametry, jako jsou například cena, spolehlivost, fyzické rozměry a montážní možnosti. Výběr optimálního MOSFETu závisí na konkrétních požadavcích aplikace a na požadovaném poměru mezi výkonem, náklady a efektivitou.
Konkrétní rozsah hodnot RDSon se liší v závislosti na konkrétním typu MOSFETu, jeho konstrukci, technologii výroby a použití. Nicméně pro různé kategorie MOSFETů můžeme uvést obecné rozsahy hodnot RDSon:
Pro standardní MOSFETy určené pro nízkonapěťové aplikace může být rozsah hodnot RDSon v řádu několika desítek až stovek miliohmů.
Pro MOSFETy určené pro výkonové aplikace a spínání vyšších proudů může být rozsah hodnot RDSon typicky v rozmezí od několika miliohmů po několik desítek miliohmů.
Pro vysokofrekvenční MOSFETy používané ve vysokofrekvenčních aplikacích, jako jsou například vysokofrekvenční spínače, může být rozsah hodnot RDSon velmi nízký, v řádu jednotek až stovek mikrohmů.
Je důležité poznamenat, že nejnižší hodnota RDSon není vždy nezbytně nutná pro každou aplikaci a závisí na konkrétních požadavcích a potřebách daného zařízení nebo systému. Při výběru MOSFETu je proto důležité pečlivě zvážit požadavky aplikace a najít optimální kompromis mezi výkonem, účinností, cenou a dalšími parametry.
Komentáře
Okomentovat