Z diskuse - Jak navrhnout tranzistor pro stabilizaci
https://www.falstad.com/circuit/circuitjs.html?ctz=CQAgjOAMUHQEyUnA7MgzJAHHAbATj2RAFZpiSyBTAWjDACgA3cOTENNHFtsVkaaABZoefmMgxi9AE4g4cQdzkLlisonppFAL0oA7StMUQwMZGEFpirMHhuIkNItDgwH7j4kyLj9bavZOAPlFOBBdAyN6ABd2SFCVDi4QsQgBKGgAE0oAMwBDAFcAG2j6AHc4hKqAyHKA3h4+Bv465qSA9tqKlPbeoK76vnbmgeGhoIQ2UYnhdhw2BQEZEEswxZJeOVnoMBxJOr6uYk3O+jBkRWO12eIcaDQEcECBGEFSUk8PIgAlSgBnACWf2ieT0AGNKHUrlsyHcYS0KrcXJg2Ej4bU0Mh7vN4at4WkWgB7cBcMBINQrSB4VH8GAEsK7dj0IA
montana
Založen: Apr 01, 2018 Příspěvky: 132
|
|
|
|
|
asdf
Založen: Oct 06, 2022 Příspěvky: 94
|
Zaslal: so březen 02, 2024 7:40 pm Předmět: |
|
|
To bych úplně neřekl, že ten tranzistor mění
odpor, on se jako odpor moc nechová. On na emitoru drží stejné napětí
jako na bázi (přesněji asi o 0,7V nižší - je tam dioda báze-emitor).
Proto se tomu říká emitorový sledovač.
Pokud by měl tranzistor na emitoru moc nízké napětí, tekl by z báze do
emitoru velký proud a ještě větší (zde asi 100x větší) z kolektoru do
emitoru, takže by to napětí na emitoru (tedy na zátěži) vzrostlo. Kdyby
zase bylo napětí na emitoru moc velké, dioda báze-emitor by se víc
zavřela a tekl by menší proud z báze do emitoru (a tedy i z kolektoru do
emitoru) a napětí na zátěži v emitoru by zase spadlo. Takže se napětí
na emitoru drží zhruba stejné jako na bázi.
Prostě se to chová, jako by tam byla jen dioda báze-emitor, s tím rozdílem, že většinu proudu to bere z kolektoru.
|
|
|
|
|
montana
Založen: Apr 01, 2018 Příspěvky: 132
|
|
|
|
|
asdf
Založen: Oct 06, 2022 Příspěvky: 94
|
Zaslal: so březen 02, 2024 9:11 pm Předmět: |
|
|
montana napsal(a): | Nerozumím "napětí na emitoru" Jsem zvyklý na to že napětí se měří vůči dvěma body. | No, myslel jsem proti zemi. montana napsal(a): | Tak bych potřeboval poradit podle čeho vybíráš ten tranzistor? | No,
já koukám na to, aby měl dostatečný proud kolektorem, dostatečný
ztrátový výkon a dostatečné zesílení. Pak se ještě koukám na grafy v
datasheetu, jestli mi vyhovuje. Pokud nepotřebuju nic speciálního, tak
mám rád BC546, ale ten ti tady stačit nebude. V tomhle obvodu je proud
200mA a výkon na tranzistoru 1,14W. Takže by mohl vyhovět třeba BD139,
ale má menší zesílení, tak to bude chtít menší odpor nad tou zenerkou,
třeba tak 220 ohmů. montana napsal(a): | V těch označeních se zatím nevyznám. Nebo někdo tu psal nějaký TL taky nevím co je řada TL... | Psali tu o TL431.
To je takový integrovaný obvod, který se dá použít místo zenerky. Je s
tím lepší práce než se zenerkou. Ale zatím bych se tím asi nezabýval.
|
|
|
|
|
montana
Založen: Apr 01, 2018 Příspěvky: 132
|
|
|
|
|
asdf
Založen: Oct 06, 2022 Příspěvky: 94
|
Zaslal: so březen 02, 2024 9:45 pm Předmět: |
|
|
montana napsal(a): | Ic je v rozsahu 9.6mA a 179 mA. | Navrhovali jsme to na 200mA, tak jsem vzal to. montana napsal(a): | To zesílení počítáš jak? β=IC/IB? | Jo,
tohle zesílení mám na mysli. To zesílení jsem našel v datasheetu. Mám
nějaký starý a je tam h21=25. Tak jsem vzal 200mA/25=8mA. Tedy bází při
připojení zátěže poteče 8mA. Tedy proud zenerkou se zmenší o 8mA, tedy z
10mA na 2mA. To je moc. Tak bych ten klidový proud zenerkou zvýšil na
20mA, aby klesl při připojení zátěže na 12mA. To už je lepší, ale stále
nic moc. Ono by to asi chtělo tam dát dva tranzistory.
|
|
|
|
|
montana
Založen: Apr 01, 2018 Příspěvky: 132
|
Zaslal: so březen 02, 2024 10:34 pm Předmět: |
|
|
Takže ses díval na to jaký tranzistor máš k
dispozici nebo jaký datasheet máš zrovna před sebou, měl si zesílení 25.
Vzal si tedy tu maximální dohodnutou hodnotu, řekli jsme 200mA, podělil
tím zesílením které máš k dispozici... A výsledkem je maximální proud,
který poteče bází...
Jenže po připojení báze se proud zenerky sníží o proud báze, takže 10-8 =
2mA. Ale chtěli jsme tam mít 10mA. Takže si snížil rezistor před bází
aby se zvýšil proud. To si spočítal z (U-Uz)/I=(9-3.3)/10=5,7/0,01 =
570Ω
nebo 5,7/0,12 = 475Ω. | |
Žádné komentáře:
Okomentovat